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HYG022N10NS1TA HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG022N10NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：100V/249A，RDS(on) = 2.2mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理

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MPN
HYG022N10NS1TA
品牌/制造商
HUAYI(华羿微)
封装
TOLL
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HYG022N10NS1TA
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