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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装/规格：
TO-263
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AUB040N10

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AUB056N10

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AUB034N10

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AUB045N12

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):120V
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ASB65R220E

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):20A
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ASB70R380E

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):750V · 连续漏极电流(Id):11A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ASB80R750E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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ASB65R300E

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):655V
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ASB60R150E

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):605V · 连续漏极电流(Id):28A
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TO-263
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AUB050N085

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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AUB033N08BG

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):85V · 连续漏极电流(Id):160A
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AUB060N08AG

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):80V · 连续漏极电流(Id):60A
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AUB062N08BG

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):85V · 连续漏极电流(Id):60A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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AUB045N10BT

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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ASB65R120EFD

ANHI(安海)

漏源电压(Vdss):655V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263
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