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ZXTN2011GTA DIODES(美台) 现货与清单询价

ZXTN2011GTA，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-223封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 100V。 Ic = 6A 连续集电极电流。 IcM = 10A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 65mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 36mΩ @ Ic = 6A 低等效导通电阻。 h

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MPN: ZXTN2011GTA
品牌/制造商: DIODES(美台)
封装: SOT-223
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/ZXTN2011GTA

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