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ZXTD619MCTA DIODES(美台) 现货与清单询价

ZXTD619MCTA,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),DFN-8-EP封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > 50V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压(1A 时最大 100mV)。RSAT = 68mΩ,低等效导通电阻。hEE 在高达 6A 时指定,保持高电流增益。双 NPN 节省电路板空间和元件数量。应用

MPN
ZXTD619MCTA
品牌/制造商
DIODES(美台)
封装
DFN-8-EP
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/ZXTD619MCTA
公开内容边界

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