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ZXGD3111N7TC DIODES(美台) 现货与清单询价

ZXGD3111N7TC，DIODES(美台)，电源管理 > 功率电子开关，SOIC-7封装，询盘确认库存，用于驱动极低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作为理想二极管，可替代标准整流器，以降低正向压降并提高功率传输效率。可用于高侧和低侧电源单元 (PSU)，轨电压高达 ±200V。关断阈值仅为 -3mV，公差为 ±2mV，可使极低 RDS(ON) MO

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MPN: ZXGD3111N7TC
品牌/制造商: DIODES(美台)
封装: SOIC-7
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/ZXGD3111N7TC

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