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YPN438S Silicon Billion(硅兆) 现货与清单询价

YPN438S,Silicon Billion(硅兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,询盘确认库存,特性:专有新型沟槽技术。 超低米勒电容。 N沟道MOS管导通电阻(典型值):VGS = 10V时为18mΩ。 P沟道MOS管导通电阻(典型值):VGS = 10V时为30mΩ。 低栅极电荷,可降低开关损耗。 快速恢复体

MPN
YPN438S
品牌/制造商
Silicon Billion(硅兆)
封装
SOP-8
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/YPN438S
公开内容边界

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