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YPN438S Silicon Billion(硅兆) 现货与清单询价
YPN438S,Silicon Billion(硅兆),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,询盘确认库存,特性:专有新型沟槽技术。 超低米勒电容。 N沟道MOS管导通电阻(典型值):VGS = 10V时为18mΩ。 P沟道MOS管导通电阻(典型值):VGS = 10V时为30mΩ。 低栅极电荷,可降低开关损耗。 快速恢复体
- MPN
- YPN438S
- 品牌/制造商
- Silicon Billion(硅兆)
- 封装
- SOP-8
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/YPN438S
