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WNSC101200Q-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

WNSC101200Q-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 / 碳化硅二极管,TO-220C-2L封装,询盘确认库存,该碳化硅二极管为独立式器件,具备10A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR),适用于高电压、中等电流的功率应用。其正向导通压降(VF)典型值为1.39V,相较于传统硅器件具有更低的导通损耗。得益于碳化硅材料的优异特性

MPN
WNSC101200Q-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/WNSC101200Q-HXY
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