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WNSC08650T6J-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

WNSC08650T6J-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，DFN-5B封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）为1.42V，有助于降低导通损耗，提升能效。器件利用碳化硅材料特性，具有优异的高温工作能力与开

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MPN
WNSC08650T6J-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DFN-5B
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/WNSC08650T6J-HXY
公开内容边界

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