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VS3C10ET07T-M3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

VS3C10ET07T-M3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-220C-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），在高负载条件下可保持稳定性能。其正向导通压降（VF）低至1.38V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件