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VS3C08ET07T-M3-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

VS3C08ET07T-M3-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-220C-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管为单体结构，额定正向电流（IF）为8A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中等功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）低至1.38V，在高频开关条件下可显著降低导通损耗，提升整体能效。得益于碳化硅材料的

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MPN: VS3C08ET07T-M3-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/VS3C08ET07T-M3-HXY

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