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VFT10200C-E3/4W-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

VFT10200C-E3/4W-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向平均电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为200V。其正向压降（VF）为1.2V，反向漏电流（IR）典型值为100μA，具备良好的导通与阻断特性。器件可承受高达120A的非重复

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MPN: VFT10200C-E3/4W-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/VFT10200C-E3%2F4W-HXY

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