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VF30100C-M3/4W-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

VF30100C-M3/4W-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR为100V。其典型正向压降VF为0.82V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR为100μA，体现出良好的阻断能力。器件可承受高达200A

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MPN
VF30100C-M3/4W-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/VF30100C-M3%2F4W-HXY
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