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V30M100M-E3/4W-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
V30M100M-E3/4W-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 / 肖特基二极管,TO-220C封装,询盘确认库存,该肖特基二极管采用1对共阴极配置,具备30A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。其正向压降(VF)为0.8V,在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗;反向漏电流(IR)为100μA,体现出良好的反向阻断特
- MPN
- V30M100M-E3/4W-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-220C
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/V30M100M-E3%2F4W-HXY
