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V30100C-M3/4W-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

V30100C-M3/4W-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220C封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定平均正向电流（IF）为30A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.8V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）为100μA，表现出良好的阻断能