PUBLIC PAGE SUMMARY

V20M100M-E3/4W-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

V20M100M-E3/4W-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220C封装，询盘确认库存，该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为20A，最大反向重复峰值电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流仅为20μA，体现出良好的阻断性能。器件可承受高达200A的非重

打开完整页面商品详情数量阶梯核价

MPN: V20M100M-E3/4W-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/V20M100M-E3%2F4W-HXY

公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选 BOM询价库存Feed