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UMH3N HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

UMH3N，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SOT-363封装，询盘确认库存，这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装，内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压（Vceo）及0.1A的最大集电极电流（Ic），功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性，在5mA集电极电流和0.25mA基极

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MPN
UMH3N
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-363
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/UMH3N
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