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UJ3C120040K3S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

UJ3C120040K3S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料工艺，具备优异的导热性与耐高温特性。其最大漏极电流ID可达63A，导通电阻RD(ON)低至32mΩ，确保在高功率密度场景下

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MPN
UJ3C120040K3S-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/UJ3C120040K3S-HXY
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