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UJ3C065030K3S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

UJ3C065030K3S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与

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MPN
UJ3C065030K3S-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/UJ3C065030K3S-HXY
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