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UF3SC065040D8S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
UF3SC065040D8S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，DFN-5B封装，询盘确认库存，该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为68A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至45mΩ，栅源电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高电压与大
- MPN
- UF3SC065040D8S-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- DFN-5B
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/UF3SC065040D8S-HXY