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UF3C120080K3S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

UF3C120080K3S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用高纯度碳化硅材料，具备优异的耐高压与热导性能。其漏源导通电阻（RDON）为80毫欧，能在高频率与高电压环境下实现较低的导通损耗，提升整体

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MPN
UF3C120080K3S-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/UF3C120080K3S-HXY
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