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UF3C065040K4S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

UF3C065040K4S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，ID:49A是一款采用先进碳化硅技术的N沟道场效应管(MOSFET)，具有650V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于高效率能量转换应用。其导通电阻(RDON)仅为45毫欧姆，确保了低损耗和高效

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MPN
UF3C065040K4S-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/UF3C065040K4S-HXY
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