PUBLIC PAGE SUMMARY

UF3C065040K3S-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

UF3C065040K3S-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料，具备优异的导热性与耐高温性能。在导通状态下，其漏源电阻（RDON）低至40毫欧，可有效降低导通损耗，提升系统效率。额定漏极