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TPW2900ENH,L1Q TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TPW2900ENH,L1Q，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，QFN-8封装，24,746件现货，特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 8.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 24 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_DSS = 10 μA（最大值）(V_D
- MPN
- TPW2900ENH,L1Q
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- QFN-8
- 库存状态
- 24,746 件公开现货
- 资料入口
- /datasheet/TPW2900ENH%2CL1Q