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TPN6R303NC,LQ(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TPN6R303NC,LQ(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TSON-8封装，询盘确认库存，特性：小而薄的封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）(VDS = 30V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3V