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TPHR6503PL,L1Q TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TPHR6503PL,L1Q,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),QFN-8封装,50,000件现货,特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 30 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 81.3 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.41 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电
- MPN
- TPHR6503PL,L1Q
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- QFN-8
- 库存状态
- 50,000 件公开现货
- 资料入口
- /datasheet/TPHR6503PL%2CL1Q
