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TPH8R80ANH,L1Q(M TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TPH8R80ANH,L1Q(M，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，特性：小而薄的封装。 高速开关。 小栅极电荷：QSW = 13 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.4 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(
- MPN
- TPH8R80ANH,L1Q(M
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- SOP-8
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TPH8R80ANH%2CL1Q(M