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TPH4R50ANH1,LQ(MW TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TPH4R50ANH1,LQ(MW，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOP-8-EP-5.0mm封装，询盘确认库存，特性：小型薄封装。 高速开关。 小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS = 10
- MPN
- TPH4R50ANH1,LQ(MW
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- SOP-8-EP-5.0mm
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TPH4R50ANH1%2CLQ(MW