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TPH4R50ANH,L1Q(M TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TPH4R50ANH,L1Q(M，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOP-8-EP-5.0mm封装，询盘确认库存，特性：小而薄的封装。 高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 22 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.7 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_HSS