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TPH4R008NH1,LQ(M TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TPH4R008NH1,LQ(M，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SOP封装，询盘确认库存，特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 18 nC（典型值）。 小输出电荷：QSS = 77 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IHSS