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TPH1R005PL,L1Q TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TPH1R005PL,L1Q,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),SOP-8-5.0mm封装,询盘确认库存,特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 34 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 98 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电

MPN
TPH1R005PL,L1Q
品牌/制造商
TOSHIBA(东芝)
封装
SOP-8-5.0mm
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TPH1R005PL%2CL1Q
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