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TP65H035WS-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

TP65H035WS-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优良的导通特性和高可靠性，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为33m

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TP65H035WS-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TP65H035WS-HXY
公开引用边界

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