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TK8A65D(STA4,Q,M) TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK8A65D(STA4,Q,M)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220SIS封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7Ω（典型值）。 高正向转移导纳：|Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 650V）。 增强模式：Vth
- MPN
- TK8A65D(STA4,Q,M)
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-220SIS
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK8A65D(STA4%2CQ%2CM)