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TK7A90E,S4X(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK7A90E,S4X(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220SIS封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.6 Ω (典型值)。 低漏电流：IDSS = 10 μA (最大值) (VDS = 720 V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V