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TK6A80E,S4X(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK6A80E,S4X(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220SIS封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID =
- MPN
- TK6A80E,S4X(S
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-220SIS
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK6A80E%2CS4X(S