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TK65E10N1,S1X TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK65E10N1,S1X，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VtA = 2.0 至 4.0V (VDS =
- MPN
- TK65E10N1,S1X
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-220
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK65E10N1%2CS1X