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TK5R1P08QM,RQ TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK5R1P08QM,RQ,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),DPAK封装,询盘确认库存,特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 17 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 66 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 4.2 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_

MPN
TK5R1P08QM,RQ
品牌/制造商
TOSHIBA(东芝)
封装
DPAK
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TK5R1P08QM%2CRQ
公开内容边界

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