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TK3P80E,RQ TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK3P80E,RQ，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DPAK封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.9Ω (典型值)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 640V)。 增强模式：VTH = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.3mA