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TK33S10N1Z,LQ TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK33S10N1Z,LQ，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DPAK封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 8.2 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：Vth = 2.0至4.0V
- MPN
- TK33S10N1Z,LQ
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- DPAK
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK33S10N1Z%2CLQ