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TK31J60W,S1VE(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK31J60W,S1VE(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3P封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.073Ω（典型值），采用超级结结构：DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7V，VDS = 10V，ID = 1.5mA。应用：开关稳压器