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TK30A06N1,S4X(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK30A06N1,S4X(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220SIS封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (