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TK2P60D(TE16L1,NQ) TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK2P60D(TE16L1,NQ)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 1.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（VDS = 600V）。 增强模式：Vth = 2.4
- MPN
- TK2P60D(TE16L1,NQ)
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK2P60D(TE16L1%2CNQ)