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TK25A10K3(STA4,Q,M TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK25A10K3(STA4,Q,M,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220封装,询盘确认库存,特性:低漏源导通电阻:IDSS(ON) = 31mΩ(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 50S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 100V)。 增强型模式:VTH

MPN
TK25A10K3(STA4,Q,M
品牌/制造商
TOSHIBA(东芝)
封装
TO-220
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TK25A10K3(STA4%2CQ%2CM
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