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TK160F10N1L,LQ TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK160F10N1L,LQ，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220SM封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。 增强模式：VTH =
- MPN
- TK160F10N1L,LQ
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-220SM
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK160F10N1L%2CLQ