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TK13P25D,RQ(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK13P25D,RQ(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 250V)。 增强模式：VTH = 1.5 至 3.5V (VDS = 10V, ID = 1mA
- MPN
- TK13P25D,RQ(S
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK13P25D%2CRQ(S