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TK12E60W,S1VX(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK12E60W,S1VX(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220-3封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：使用超结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.265Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7至3.7V（VDS = 10V，ID = 0.6mA）。应用：开关稳压
- MPN
- TK12E60W,S1VX(S
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-220-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK12E60W%2CS1VX(S