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TK11S10N1L,LQ TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK11S10N1L,LQ，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DPAK封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VDA = 1.5 至 2.5