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TJ80S04M3L(T6L1,NQ TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TJ80S04M3L(T6L1,NQ，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DPAK封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ（典型值）(VGS = -10V)。 低泄漏电流：IRSS = -10μA（最大值）(VDS = -40V)。 增强模式：VDD = -2.0 至 -3.0V
- MPN
- TJ80S04M3L(T6L1,NQ
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- DPAK
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TJ80S04M3L(T6L1%2CNQ