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TJ60S04M3L(T6L1,NQ TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TJ60S04M3L(T6L1,NQ，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DPAK封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.8 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。 低泄漏电流：ILSS = -10 μA（最大值）(VDS = -40 V)。 增强模式：VDM