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SZMMBZ6V2ALT1G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SZMMBZ6V2ALT1G-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 / 稳压二极管,SOT-23封装,询盘确认库存,该静电和浪涌保护器件采用单向(Uni)设计,具备2.76A的峰值脉冲电流(IPP)能力,可有效吸收瞬态电压冲击,保障电路稳定运行。其反向工作电压(VRWM)为3V,适用于低电压信号线路的防护需求。器件支持2通道布局(LINE),便

MPN
SZMMBZ6V2ALT1G-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SZMMBZ6V2ALT1G-HXY
公开内容边界

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