PUBLIC PAGE SUMMARY
SZMMBZ15VALT1G-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
SZMMBZ15VALT1G-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 稳压二极管，SOT-23封装，询盘确认库存，该静电和浪涌保护器件采用单向（Uni）结构，具备1.9A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，可快速泄放静电及瞬态过电压能量，保障后级电路安全。其反向工作电压（VRWM）为12V，适用于中低电压信号线路的防护需求。器件集成2通道（LI
- MPN
- SZMMBZ15VALT1G-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- SOT-23
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/SZMMBZ15VALT1G-HXY